Монолитные интегральные схемы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ 
АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ»

КАФЕДРА №41


ОЦЕНКА РЕФЕРАТА

РУКОВОДИТЕЛЬ

Доцент, кандидат техн. наук







В.И. Исаков

должность, уч. степень, звание



подпись, дата



инициалы, фамилия

 

РЕФЕРАТ

Монолитные интегральные схемы

по дисциплине: ВВЕДЕНИЕ В НАПРАВЛЕНИЕ





РЕФЕРАТ ВЫПОЛНИЛ

СТУДЕНТ ГР. №

4610







Д.Ю. Кашин







подпись, дата



инициалы, фамилия

 

Санкт-Петербург 2016



Аннотация

29 листов, 14 иллюстраций, 3 источника


Список  сокращений

МИС – монолитная интегральная схема

СВЧ - сверхвысокочастотная

MMIC — Monolithic Microwave Integrated Circuit

и т.п. – и тому подобное

GPS - Global Positioning System

MESFET - metal–semiconductor field-effect transistor

HEMT - High-electron-mobility transistor

HBT - heterojunction bipolar transistor

РЧ – радиочастотные

ИС – интегральная схема















Содержание

Аннотация……………………………………………………………………….2

Список сокращений……………………………………………………………..3

Содержание……………………………………………………………………...4

Введение………………………………………………………………………....5

1. Монолитные интегральные схемы……………………………………....….6

2. Материалы МИС СВЧ…………...…………………………………………..9

3. Активные элементы МИС и их надежность……........................................10

3.1. Полевые транзисторы с барьером Шоттки…………………………..…..11

3.2. Транзисторы с высокой подвижностью электронов и псевдоморфные                                                    транзисторы………………………………………………………………..........18

3.3. Биполярные гетеротранзисторы……...…………………………………...23

Заключение………………………………………………………………….…..28

Список используемых источников………………...……………………….….30






Введение

В последнее время монолитные интегральные схемы (в англоязычной литературе MMIC — Monolithic Microwave Integrated Circuit) получили широкое распространение не только в военной, но и в гражданской технике, особенно в сотовой телефонии. Основными причинами являются бурное развитие высокоскоростных широкополосных систем передачи данных при постоянной потребности снижения массо-габаритных параметров изделий.

























1. Монолитные интегральные схемы

Созданию МИС СВЧ способствовало множество достижений в интегральной технологии XX века, однако с определенной долей достоверности можно сказать, что прототипом современной МИС СВЧ была идея, озвученная и запатентованная (патент США № 2981877) в 1961 году Робертом Нойсом, работавшим в то время в компании Fairchild. Он создал микросхему с планарной структурой, в качестве подложки используя кремний. Планарные диффузионные биполярные кремниевые транзисторы и резисторы Нойс соединял между собой тонкими алюминиевыми полосками, лежащими на пассивирующем оксиде кремния. Для изготовления этих полосок был использован традиционный процесс, включающий напыление металлического слоя и фотолитографию с последующим химическим травлением металла. Позже сверхвысокочастотные МИС стали изготавливать на основе полупроводниковых кристаллов из арсенида галлия, который и по сей день занимает лидирующие позиции как материал для производства МИС СВЧ (более 80% монолитных микросхем выполняются на подложках из арсенида галлия и тройных полупроводников на его основе: AlGaAs и InGaAs). Достоинствами арсенида галлия являются высокая подвижность электронов, широкая запрещенная зона, весьма широкий диапазон рабочих температур, достаточно удобная возможность получения полуизолирующего GaAs, хорошие оптические характеристики, низкая потребляемая мощность. Благодаря высокой подвижности электронов МИС СВЧ на арсениде галлия могут быть использованы в диапазоне от 1 ГГц до 100 ГГц. Исторически первыми применениями таких МИС были военные и гражданские радиолокационные станции, спутниковые системы связи и навигации, средства связи и т. п. Пожалуй, с некоторой долей уверенности можно утверждать, что если на этапе становления монолитных интегральных схем двигателем их дальнейшего развития была необходимость повышения надежности устройств (военная техника), то сейчас, в основном, этой движущей силой являются постоянно растущие требования рынка по снижению габаритов изделий (в частности, сотовых телефонов, средств навигации и т. п.), однако и надежность тоже не на последнем месте. Монолитные ИС чаще всего используются в СВЧ-диапазоне в приложениях, где необходимы небольшие размеры и высокая надежность. Примерами систем на базе МИС могут служить приемники и передатчики систем связи, фазированные антенные решетки (ФАР), датчики, работающие на сверхвысоких частотах и т. п. В последнее время МИС широко используются в сотовой и спутниковой телефонии, устройствах глобального позиционирования GPS. Успехи в технологии МИС стали широко использоваться и в производстве дискретных компонентов, что более всего относится к биполярным гетеротранзисторам, выполняемым по технологии МИС. Эти транзисторы уже давно пользуются большим спросом у производителей профессиональных средств связи.

Характерным признаком монолитных ИС является их низкая степень интеграции в сравнении с цифровыми микросхемами. Монолитная ИС обычно представляет собой функционально законченное устройство, не требующее использования каких-либо внешних задающих и подстроечных элементов. Примеры конструкций монолитных микросхем СВЧ приведены на рисунке 1. 



Рисунок 1 - примеры конструкций монолитных микросхем СВЧ

Наиболее типичными МИС являются малошумящие усилители, смесители, усилители мощности, модуляторы и т. д. Из вышесказанного отчетливо видно, что на основе перечисленных МИС легко построить устройство более высокого уровня, например, приемник. При этом, поскольку приемник будет содержать порядка единиц составных элементов (МИС не требуют внешних компонентов), и в связи с тем, что МИС имеет довольно высокую наработку на отказ, надежность такого приемника будет весьма высокой, недостижимой при его реализации с аналогичными техническими характеристиками, но на дискретных компонентах. Существуют также и устройства, целиком реализованные в виде одной МИС. Ярким примером может служить МИС-приемник, выполненный на едином кристалле. Очевидно, что область применения микросхем такого типа сильно ограничена, особенно если принять во внимание то, что МИС представляет собой законченное устройство, не требующее каких-либо внешних подстроечных компонентов, и что такой приемник невозможно будет адаптировать к использованию, например, в другом частотном диапазоне. С другой стороны, если предусмотреть внешние элементы подстройки, то теряются преимущества от использования МИС. Конечно, о массовости таких микросхем не может идти и речи, и единственными областями применения таких МИС являются космическая и военная техника, где на первом плане стоит надежность прибора, а не его цена. В связи с единичным типом производства микросхем такого типа здесь не представляется возможным воспользоваться хорошо отработанной методикой статистического прогнозирования средней наработки на отказ и встает другая проблема, связанная с прогнозированием индивидуальной надежности микросхемы.

В период с 1999 по 2004 год объем продаж монолитных ИС увеличился практически вдвое. Кроме того, заметна тенденция увеличения доли продаж МИС в коммерческой, а не военной области. Пожалуй, основной причиной этого служит интенсивно развивающийся рынок беспроводных систем связи и передачи данных. В связи с этим большинство производителей полупроводниковых пластин (Vitesse, Kopin, TriQuent, Conexant, M/A-COM, RF Micro Devices, ATMI, Motorola) существенно расширили объемы производства пластин из арсенида галлия диаметром 150 мм.

Материалы МИС СВЧ

В процессе эволюции технологии производства МИС прогрессировала и их конструкция. Примерно в то время, когда появился биполярный транзистор с гетеропереходом, выполненный по технологии МИС, возник интерес к использованию и других материалов для производства монолитных микросхем. Этот интерес в первую очередь был вызван необходимостью реализации микросхем, работающих на более высоких частотах. В качестве таких материалов было предложено использовать полупроводниковые соединения вида А3В5. Для базы и коллектора было использовано тройное соединение InGaAs, а эмиттер и коллектор выполняли на фосфиде индия InP. Использование фосфида индия InP позволило улучшить частотные характеристики и увеличить пробивное напряжение коллектора. Поскольку ширина запрещенной зоны InP больше, чем у In 0,53Ga 0,47As (1,35 эВ и 0,75 эВ соответственно), то напряжение пробоя коллекторного гетероперехода составляет не менее 6 B. На данный момент существует большое разнообразие комбинаций материалов эмиттера, базы и коллектора, и тема выбора материала МИС с точки зрения поиска оптимума в конструкции и в технологии изготовления заслуживает рассмотрения в отдельной статье, поэтому отметим лишь, что наибольшее распространение получили n-p-n транзисторные гетероструктуры типа InAlAs–InGaAs–InP и InP–InGaAs–InP. Использование таких материалов вкупе со снижением толщины базы, которое стало возможным благодаря интенсивному развитию технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяет добиться работы транзистора на граничной частоте до 250 ГГц!

Другим популярным материалом для изготовления МИС СВЧ служит нитрид галлия. СВЧ-приборы на основе нитрида галлия позволяют добиться больших значений удельной плотности выходной мощности. Например, компанией Cree был разработан GaN полевой транзистор с барьером Шоттки с затвором длиной 0,55 мкм и шириной 0,25 мкм, выходная мощность которого в непрерывном режиме на частоте 4 ГГц составляла 8 Вт. Соответственно, удельная выходная мощность такого транзистора равна 33 Вт/мм. При том, что рабочее напряжение «исток–сток» составляло 120 В, максимальная плотность тока в канале достигала 1,2 А/мм.

Активные элементы МИС и их надежность

Основным активным элементом МИС с момента их появления и до настоящего времени является полевой транзистор с барьером Шоттки (MESFET). Однако все возрастающие требования приводят к невозможности их использования в некоторых приложениях. Это связано со сложностью повышения быстродействия MESFET посредством уменьшения длины затвора. Поэтому в последнее время получили распространение транзисторы с повышенной подвижностью электронов и псевдоморфные (HEMT/PHEMT), а также биполярные гетеротранзисторы (HBT).



Рисунок 2 - диаграмма, показывающая частоты, при которых могут использоваться соответствующие приборы

Рассмотрим подробнее перечисленные активные элементы МИС СВЧ.

3.1 Полевые транзисторы с барьером Шоттки (MESFET)

Первый арсенидгаллиевый полевой транзистор с барьером Шоттки появился в 1963 году. Это стало возможным благодаря разработанному фирмой GEC Marconi Material Technology процессу контролируемого выращивания высокочистых тонких пленок на полупроводниковом арсениде галлия.

Конструкция MESFET

Базовая структура MESFET приведена на рисунке 3.



	Рисунок 3 - базовая структура MESFET	

Базовым материалом является подложка из арсенида галлия. Буферный слой эпитаксиально выращивается на полуизолирующей подложке и служит для изоляции дефектов в подложке от рабочей части транзистора. Канал является тонким, слегка легированным проводящим слоем полупроводникового материала, эпитаксиально выращенным на буферном слое. Высоколегированные области, показанные на схеме, необходимы для обеспечения низкого омического сопротивления контактов транзистора.

Эквивалентная схема и типовая вольт-амперная характеристика полевого транзистора с барьером Шоттки приведена на рисунке 4.



Рисунок 4 - эквивалентная схема и типовая вольт-амперная характеристика полевого транзистора с барьером Шоттки

Напряжение отсечки такого транзистора можно определить по следующей формуле:



где q — заряд электрона; Nd — концентрация донорной примеси; ?0, ?r — элекрическая проницаемость; a — глубина канала.

Ток стока подчиняется следующей зависимости:

где ?(x)— скорость электронов; Z — ширина канала; b(x) — эффективная глубина канала; q — заряд электрона; n(x) — концентрация электронов.

Как было сказано выше, под затвором формируется обедненная область. Тем самым снижается эффективная глубина канала b(x) и, соответственно, увеличивается сопротивление проходящему под затвором току. Глубина обедненной области зависит от падения напряжения на барьере Шоттки. Поскольку ток через канал равен току через распределенный резистор, между стоком и истоком возникает повышенное падение напряжения, что приводит к увеличению обедненной области в канале на стороне стока. Неоднородность этой глубины имеет два последствия для работы устройства.

Во-первых, происходит накопление электронов на стороне истока и обеднение электронами области со стороны стока. Этот заряженный диполь создает емкостную обратную связь между стоком и каналом (в англоязычной литературе эта емкость обычно обозначается как CDC). Во-вторых, возникает электрическое поле, приводящее к снижению напряжения насыщения транзистора. Глубина обедненной области и, соответственно, сопротивление току между истоком и стоком, а также ток насыщения могут изменяться приложением смещения к затвору. Если это отрицательное смещение достаточно велико, глубина обеденной области будет равна глубине канала. Таким образом, транзистор может работать как управляемый напряжением резистор или переключатель. Последнее часто используется в высокоскоростных цифровых блоках микросхем. В МИС же в основном используется свойство MESFET усиливать мощность.

Оценим максимальную рабочую частоту такого транзистора. Она определяется временем пролета электронов через канал и может быть вычислена следующим образом:



где Vsat — напряжение насыщения; ? — время пролета электронов через канал; L — длина канала.

Типовое значение Vsat ? 6?1010 мкм/с для арсенида галлия с типовым уровнем легирования, обычно используемым в канале. Отсюда легко получить, что для обеспечения частоты более 10 ГГц длина затвора должна быть меньше 1 мкм. Максимальная рабочая частота может быть аппроксимирована следующим образом:



где RDS — сопротивление между стоком и стоком; RG — сопротивление затвора.

Очевидно, что для обеспечения высокого быстродействия транзистора необходимо стремиться к минимизации длины затвора, что, однако, ограничивается технологическими возможностями производства. Кроме сказанного, необходимо помнить, что для эффективного управления током канала длина канала L должна быть больше его глубины a, то есть L/a > 1. Поэтому в большинстве MESFET глубина канала составляет 0,05–0,3 мкм. Сказанное означает, что для обеспечения достаточно большого тока концентрация носителей в канале должна быть весьма велика.

Малые размеры транзисторов приводят к снижению их надежности. Это связано с малым поперечным сечением области затвора, что приводит к увеличению плотности тока. Это является обычным для мощных транзисторов, в которых основным механизмом отказа является миграция электронов. Для уменьшения сопротивления затвора обычно используется золото. Поскольку золото создает «ловушки» в арсениде галлия, которые эффективно снижают концентрацию носителя и, соответственно, ток через транзистор, должен быть использован барьерный металл, например, платина. В связи с тем, что глубина канала очень мала, любая диффузия металла затвора в арсенид галлия приводит к значительным изменениям тока, протекающего через канал, и уменьшает напряжение отсечки транзистора. Малые расстояния между затвором и стоком создают сильные электрические поля, которые могут привести к лавинной генерации электронов. Эти «горячие» электроны могут затем становиться «ловушкой» на поверхности GaAs или в пассивирующем материале, который обычно размещен на поверхности транзистора. Факторы ненадежности полевых транзисторов в большей степени принадлежат к классу технологических. В устройствах малого сигнала деградация омических контактов или взаимная диффузия металла затвора и арсенида галлия приводят к сдвигу ID, gm и Vp.

Хотя мощные MESFET тоже страдают от параметрической деградации, все же наиболее распространенными являются катастрофические (внезапные) отказы. Однако, успехи в технологии производства GaAs-приборов и обеспечение работы в пределах безопасных режимов уменьшают число отказов. Для усилителей мощности полевые транзисторы должны быть разработаны для максимальной пиковой выходной мощности. Это означает большое напряжение «сток–исток» и значительный тока стока. К сожалению, одновременно оба этих параметра не могут быть максимизированы. Поэтому на данный момент для МИС СВЧ-усилителей мощности используются биполярные гетеротранзисторы. Для увеличения тока стока требуется высокая концентрация носителей или большая ширина затвора.

Однако не стоит забывать, что глубина канала не может быть увеличена, поскольку это приводит к уменьшению частотного диапазона работы устройства. Концентрация носителей не может быть увеличена без снижения напряжения пробоя «затвор–сток», которое необходимо максимизировать для увеличения допустимого напряжения «сток–исток». Следовательно, альтернатива одна: увеличивать ширину затвора. Однако в конструкции СВЧ-устройств линейные элементы большой длины не являются элементами с однородным потенциалом на протяжении всей длины. Основное правило заключается в том, что линия должна быть меньше десятой части длины волны, тогда ее можно рассматривать как однородный элемент. Для арсенида галлия это соотношение выглядит следующим образом:



где ? — частота, ГГц.

Отсюда видно, что в Х-диапазоне (8–12 ГГц) максимальная длина затвора, которая может быть использована, не превышает 1 мм. Если требуется более высокий ток, может быть использовано параллельное включение нескольких затворов. Однако плотное расположение параллельно включенных затворов приводит к увеличению локальной температуры соответствующей области МИС. В связи с тем, что арсенид галлия — плохой проводник температуры, это снижает надежность MESFET.

Технология изготовления MESFET

Типовой техпроцесс изготовления MESFET методом ионной имплантации приведен на рисунок 5.



Рисунок 5 - типовой техпроцесс изготовления MESFET методом ионной имплантации

Первым шагом традиционно является изготовление тонкопленочных резисторов. Металл резистора (AuGeNi) испаряется, затем наносится TaN. AuGeNi обычно используется для изготовления низкоомных резисторов, в то время как TaN— для высокоомных.                                                          

 Базовые этапы технологии приведены на рисунке 6.



Рисунок 6 - базовые этапы технологии

Вторым этапом является изолирование и формирование затвора. За счет ионной имплантации, например, бора, осуществляется деактивация проводящего слоя GaAs и формируются необходимые изолирующие области. После этого этапа осуществляют нанесение металла и формирование воздушных «мостиков». В заключение формируют переходные отверстия и осуществляют обработку обратной стороны подложки.

3.2 Транзисторы с высокой подвижностью электронов и псевдоморфные транзисторы (HEMT/PHEMT)

Как говорилось выше, в последнее время в ответственных приложениях, там, где требуются малый коэффициент шума и высокое усиление, транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) и псевдоморфные (PHEMT) транзисторы получают все большее распространение.

Оба этих транзистора относятся к классу полевых транзисторов, поэтому базовые принципы функционирования весьма схожи. Основным отличием между транзисторами с высокой подвижностью электронов и полевыми транзисторами является эпитаксиальная структура слоя.

Конструкция HEMT/PHEMT

Эпитаксиальная структура базового транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) приведена на рисунке 7а, псевдоморфного транзистора — на рисунке 7б.



Рисунок 7 - базовая структура транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) (а) и псевдоморфного транзистора (б)

Аналогично с полевыми транзисторами с барьером Шоттки (MESFET), структура выращена на полуизолирующей подложке из GaAs при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии (в англоязычной литературе Molecular Beam Epitaxy — MBE) или более распространенного металлоорганического испарения.

Буферный слой, обычно тоже арсенидгаллиевый, эпитаксиально выращивается на подложке, служит для изоляции дефектов и призван создать гладкую поверхность, на которой происходит выращивание активных слоев транзистора.

Канал, соответствующий стандартной структуре транзистора, показан ниже. В идеальной системе все электроны проводимости размещаются в этом канале. Наиболее важным в слое канала является двумерный электронный газ (2DEG на рисунке 8), являющийся следствием различной ширины интервалов.



Рисунок 8 - канал, соответствующий стандартной структуре транзистора

На надежность транзисторов HEMT и PHEMT влияют параметры эпитаксиальной структуры, процесс производства и геометрия устройства. Основными механизмами отказа являются:

«Погружение» затвора вследствие взаимной диффузии металла затвора в полупроводник и снижение усиления;

Деградация омических контактов «стока–истока» вследствие деградации сплавной области, а также увеличение сопротивления «сток–исток» RDS;

Повреждение поверхности под действием «горячих» электронов;

Чувствительность к кислороду воздуха приводит к возникновению поверхностных реакций, в результате возникают так называемые «ловушки»;

Водородное отравление приводит к снижению усиления и напряжению отсечки;

Высокая влажность может быть причиной короткого замыкания затвора и стока.

Наглядное представление влияния эффекта «погружения» затвора на вольт-амперные характеристики MESFET и HEMT транзисторов приведено на рисунке 9. Стрелками показано направление смещения характеристики. Как видно из рисунка, такое сильное смещение ВАХ может привести не только к выходу характеристик устройства за пределы допуска, но и в некоторых случаях к отказу активного элемента (MESFET, HEMT и др.).



Рисунок 9 - влияния эффекта «погружения» затвора на вольт-амперные характеристики MESFET и HEMT транзисторов

Технология изготовления HEMT/PHEMT

Первым этапом процесса является тщательный отбор подложек с требуемыми характеристиками. Между технологиями изготовления HEMT и PHEMT имеются, несомненно, незначительные различия, однако в данном случае мы их рассматривать не будем, коснувшись лишь базового процесса, который для обоих приборов является одинаковым.

Типичная последовательность изготовления приведена на рисунке 10.



Рисунок 10 - технология изготовления HEMT

Первым этапом является формирование активного канала и имплантация изолятора, после чего формируются омические переходы, затем осуществляется формирование углублений затвора, затем — области «затвор–металл».

После этого производят травление истока и контактов, формируют воздушные мостики, переходные отверстия и осуществляют обработку обратной стороны подложки.



3.3. Биполярные гетеротранзисторы (HBT)

Биполярные гетеротранзисторы широко используются как в цифровых, так и в аналоговых МИС на рабочих частотах выше диапазона Ku. За счет своей структуры они обеспечивают более быстрое переключение, в основном за счет уменьшенного сопротивления базы и чрезвычайно малой емкости между коллектором и подложкой. Цена таких транзисторов относительно невысока, что связано с меньшей требовательностью технологического процесса в сравнении, например, с полевыми транзисторами. Кроме высокого быстродействия, биполярные гетеротранзисторы обеспечивают более высокое по сравнению с предельно допустимое напряжение. Эти транзисторы обладают хорошей линейностью, низкими фазовыми шумами, они легко согласуются.

Конструкция HBT

Как видно из рисунка 11, структура биполярного гетеротранзистора — вертикальная.



Рисунок 11 - структура биполярного гетеротранзистора

Подложкой в данном случае служит полупроводниковая пластина арсенида галлия. Эпитаксиальные слои могут быть выращены различными способами, например, молекулярнолучевой эпитаксией (Molecular Beam Epitaxy).

Типовые вольт-амперные характеристики биполярного гетеротранзистора приведены на рисунок 12.



Рисунок 12 - вольт-амперные характеристики биполярного гетеротранзистора

Принцип работы биполярного гетеротранзистора

В отличие от рассмотренных выше активных приборов МИС СВЧ, биполярные гетеротранзисторы имеют вертикальную структуру. Благодаря своей конструкции они не только более высокочастотны, чем, например, MESFET, но и удобны для использования в усилителях мощности. Рассмотрим принцип функционирования HBT и попробуем понять, почему это стало возможным (рисунок 13).



Рисунок 13 - принцип функционирования HBT

Как видно из рисунка, потенциальный барьер инжектированных дырок (?Vp) и электронов (?Vn) в контакте «эмиттер–база» отличается шириной зазора между AlGaAs эмиттером и GaAs базой, поэтому можно написать:



Это небольшое различие влияет на коэффициент In/Ip, где In — ток инжектированных электронов из эмиттера в базу, а Ip — нежелательный ток инжектированных дырок из базы в эмиттер. Эти токи могут быть выражены, применяя аппроксимацию Больцмана:



где q — заряд электрона; k — постоянная Больцмана; А — площадь контакта «эмиттер — база»; Dn — коэффициент диффузии электронов в базу; Dp — коэффициент диффузии дырок в эмиттер; W — ширина базы; NE — концентрация легирования эмиттера; Lp — длина диффузии дырок в эмиттер.

Из полученных формул получаем следующую зависимость для отношения рассматриваемых токов:

Для арсенида галлия ?Eg ? 14,6kT, соответственно, exp(?Eg / kT) ? 2?106, поэтому можно осуществлять высокое легирование базы и низкое легирование эмиттера без существенного снижения усиления по току. Практически же обычно осуществляют легирование базы таким образом, чтобы усиление транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, составляло порядка 100 раз. Низкое легирование эмиттера приводит к снижению емкости контакта «эмиттер–база», что позволяет работать транзистору на более высоких частотах.

В результате протекания физических процессов старения надежность биполярных гетеротранзисторов может ухудшаться вследствие возникновения следующих факторов:

Снижение усиления по току и увеличение напряжения «база–эмиттер» при высоких токах эмиттера;

Увеличение сопротивления контактов, вызванное деградацией связи между омическими контактами эмиттера (металлизацией) и полупроводниковой областью эмиттера. Для решения этой проблемы может быть использован контактный слой из материала InGaAs.

Разрастание кристаллических дефектов в контакте «эмиттер–база»;

Дрейф усиления по току (снижение) и увеличение напряжения «база–эмиттер» для конкретного тока коллектора, вызванное окислением мезаструктуры эмиттера в области контакта «эмиттер–база».

Технология изготовления HBT

Типовая технология изготовления биполярных гетеротранзисторов состоит из нескольких этапов травления для открытия нужных областей и формирования электрических контактов на каждом слое. В заключение устройство изолируется и на нем формируются требуемые межсоединения. Базовые шаги техпроцесса показаны на рисунке 14.



Рисунок 14 – базовые шаги технического процесса

















Заключение

Постоянно растущие требования к объемам передаваемой информации с одновременным снижением массо-габаритных параметров устройств обеспечивают непрерывное динамичное развитие как конструкции МИС СВЧ, так и технологии их производства. Что же будет дальше? В каком направлении будет развиваться интегральная технология РЧ и СВЧ устройств? Очевидным глобальным направлением развития будут широкополосные и сверхширокополосные СВЧ-приборы. Что касается конструкции, то это, в первую очередь, совершенствование конструктивно-технологических особенностей МИС СВЧ, отработка технологии изготовления микросхем на подложках из карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN), создание серийной технологии изготовления микросхем на сапфировых подложках. Другим важным направлением развития микросхем этого класса является создание устройств с крайне высокой плотностью мощности: более 1 Вт на 1 мм длины затвора. Постоянное совершенствование конструкции и технологии МИС СВЧ, появление новых активных элементов микросхем, приводит к необходимости модификации моделей надежности, построению новых, включающих новые механизмы отказов, связанных с использованием новых материалов и технологий. Кроме того, несмотря на наличие хорошо отработанных методов статистического прогнозирования надежности, годных для применения к серийным микросхемам, методы оценки индивидуальной надежности, необходимые для сепарации единичных образцов МИС СВЧ, используемых в военной и космической технике, пока отработаны недостаточно хорошо. Среди таких методов можно выделить различные методы спектроскопии, с подсветкой вспомогательным источником и без нее. Однако многие из методов прогнозирования индивидуальной надежности МИС СВЧ являются разрушающими, что недопустимо при высокой стоимости микросхемы, другие же не обеспечивают требуемую достоверность. В такой ситуации встает задача: оценить надежность конкретного экземпляра устройства по результатам неразрушающих измерений каких-либо его электрофизических параметров. Если в отношении проблемы выбора таких информативных параметров можно сказать, что она решена, то относительно наличия достоверных математических моделей на их основе этого сказать нельзя. Поэтому эта задача на данный момент является весьма актуальной и, вероятно, в скором времени будет решена.

























Список используемых источников

John R. Scarpulla. Reliability and Qualification Challenges for RF Devices. The Aerospace Corporation, Los Angeles, 2004.

GaAs MMIC Reliability Assurance Guideline for Space Applications. Sammy Kayali, George Ponchak, Roland Shaw. NASA Lewis Research Center, 1996.

Гуртов В. А. Твердотельная электроника. Москва, 2005.



2.......................